振蕩回路的穩定性由晶體和外圍電路性能共同決定。而振蕩回路的雜散電容難以確定,以及理想負電阻難以實現,這樣很容易造成晶振不穩定或停振。隨著電子產品高速高穩的需求,最佳匹配的模塊化晶體振蕩器在精密儀器儀表,無線定位,目標跟蹤,宇航通訊等廣泛應用。推出各類功能晶振包括: 差分輸出(D); 電磁排除振蕩器(E); 低抖動(J); 可編程(Q); 可切換頻率(S); 超高頻(H); 超寬溫(W); 低功耗(P).

產品圖片

尺寸

型號

輸出波形

工作電壓

頻率范圍Hz

特種代碼

參數選擇

規格書

    1. 5.0x3.2
    2. KS508T
    3. CMOS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 10.0M~245.0M
    6. J Q S H

      相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KD508C
    3. HCSL
    4. 1.8V~3.3V
    5. 150.0M~700.0M
    6. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KD508D
    3. LVDS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 150.0M~2.1G
    6. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KJ506D
    3. LVDS
    4. 2.5V~3.3V
    5. 150.0M~1.50G
    6. D J Q S H

      差分輸出 相噪抖動 編程晶振 切換頻率 超高頻

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KD506C
    3. HCSL
    4. 1.8V~3.3V
    5. 13.5M~200.0M
    6. D

      差分輸出

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KD506D
    3. LVDS
    4. 2.5V~3.3V
    5. 10.0M~1.5G
    6. D Q S H

      差分輸出 編程晶振 切換頻率 超高頻

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KS506T
    3. CMOS
    4. 2.5V~3.3V
    5. 10.0M~245.0M
    6. Q S H

      編程晶振 切換頻率 超高頻

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KJ50
    3. CMOS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 20.0M~50.0M
    6. J

      相噪抖動

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KS50
    3. CMOS
    4. 1.2V~5.0V
    5. 0.25M~200.0M
    6. -
    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KS5032
    3. CMOS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 12K~100K
    6. P

      低功耗

    7. 立即選擇
    1. 5.0x3.2
    2. KM50
    3. CMOS
    4. 2.5V~3.3V
    5. 3.0M~200.0M
    6. M

      擴頻晶振

    7. 立即選擇
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